負性光刻膠在矽基晶片中又被稱為‘光致抗蝕劑’。

這種材料塗抹在晶圓上後，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得單晶矽晶圓的物理效能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。

從而在後續的顯影過程中能保留這些區域。

所以負性光刻膠是製造高精度整合晶片用的一種主要光刻膠。

而因為石墨烯單晶這種材料的特性，導致它在面對正性光刻膠的時候，曝光區域並不會被輕易蝕刻，所以只能想辦法加固曝光區域,然後再來進行後續的顯影處理。

矽基晶片的負性光刻膠的主要成分是感光樹脂、增感劑和溶劑組構成的。

碳基晶片也一樣，同樣是有這三種主要成分構成。

其中感光樹脂並沒有多大變化，而增感劑和溶劑組都有相當大的改動。

畢竟你不可能拿著適用於矽基晶片的增感劑和溶劑組去處理碳基晶片。

單晶矽和石墨烯的性質可完全不同。

除此之外，石墨烯單晶晶圓和單晶矽晶圓這兩種材料的光學特性也不同。

石墨烯這種材料具有非常良好的光學特性，在較寬波長範圍內吸收率約為2.3%，而且在固定的層數內,厚度每增加一層，吸收率增加2.3%。

這也導致了它對於光感程度非常敏感,當入射光的強度超過某一臨界值時,石墨烯對其的吸收會達到飽和。

因此石墨烯晶圓雖然同樣是用光刻機加工，但曝光過程和碳基晶片有所不同。

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