石墨烯單晶材料完成，韓元透過特殊的手段將這塊石墨烯單晶材料切割成了大小合適的晶圓並儲存了起來。

這些晶圓後續經過處理後，可以用於製造碳基晶片，他自然不會扔掉。

石墨烯單晶材料完成製備，花費了一些時間，韓元將製備碳基晶片需要的碳奈米管材料、高純度碳化矽晶材等材料一起製造了出來。

製造碳基晶片的一系列的基礎原材料都處理好製備出來後，接下里的工作自然是製造各種需要的裝置了。

其中就有關鍵的光刻機和光刻膠。

......

碳基晶片和矽基晶片不同又相同。

不同的是碳基晶片在中低端晶片上的處理可以不使用光刻機處理。

透過一些特殊的手段,比如鐳射蝕刻、化學氣相沉積等方法就可以在晶片內部構建出一個個的電晶體。

但這些特殊方式的侷限性都很大，在精度方面都有上限。

比如鐳射蝕刻法在晶圓上蝕刻電路的精度極限就是微米級，要在降低的話，使用這種方法就容易燒穿晶圓電路中的柵極和溝道，進而導致晶片報廢。

所以碳基晶片要達到奈米級別，光刻機是無論如何都繞不過去的一個門檻。

華國研究碳基晶片想要在這條路上實現彎道超車,也並非是因為碳基晶片不需要光刻機光刻膠這些東西。

而是在韓元沒有出現以前，如果能走通碳基晶片這條路,那麼可以暫時性的繞開光刻機光刻膠這些東西。

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