想要製取電子級單晶矽，需要從普通的工業級單晶矽（6N），提純到太陽能級單晶矽（9N），最後再提純到電子級單晶矽（11N）。

並且，矽的提純，越往後越困難，不論是對製取的技術要求，還是對提純的裝置要求，都越來越變態。

國際上最主流的提純方法，為提拉法。

簡單來說，就是採用一個具有預定義取向的籽晶沉浸在熔融體中，使籽晶和熔融體在不同方向上旋轉，然後慢慢地往上提拉，提拉的過程中，熔融體在表面張力的作用下隨著籽晶逐漸被拉起，並冷卻結晶成為連續的單晶體。

用提拉法得到的單晶矽，全都是圓柱狀的單晶矽，又被稱為晶柱或者晶棒。

再將晶柱切片，得到的圓片狀單晶矽片，又被稱為晶圓。

原理解釋起來很簡單，但要做到將晶柱儘可能的變粗，而且矽的純淨度要足夠高，達到11N水平，可不是容易的事。

目前在這一方面做得最好的，是櫻花國。

歐美國家都要落後它一截，更別說現在的華國了。

想要用提拉法制取單晶矽，這其中涉及到化學、物理、機械等多學科聯合作業，化學的製取還好說。

只要有技術，總能辦得到。

但機械水平上的差距，卻不是那麼好抹除的。

比如提拉法制取單晶矽，需要用到特製的電爐，這種電爐可不是我們家用的電爐，而是用來熔解、提拉單晶矽時用到的核心裝置。

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