“我之前預定的碳化矽晶體生長爐排上號了嗎？”

韓修正在為冰晶半導體制冷片的投產做準備，此刻正聯絡著遠在奉天的裝置供應商。

半導體產業發展至今經歷了三個階段：第一代主要以矽（si）鍺（ge）元素單質半導體材料為代表。第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵(gaas)、銻化銦（insb）也已經廣泛應用。第三代半導體材料則主要以碳化矽(sic)、氮化鎵( gan)為代表的寬禁帶半導體材料。

與第一、二代半導體材料相比，第三代半導體材料效能優勢顯著，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，因此被業界廣泛好評。

發展較好的第三代半導體材料主要是碳化矽(sic)、氮化鎵( gan)，其中碳化矽(sic)的技術更為成熟，非常適合於製作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

“你是要碳化矽單晶爐系統？型號是tdl60p這款？”

韓修之前聯絡這個裝置供應商已經有些時日了，奈何其供應緊張，時間一長下來，對方竟然都快忘了這碼事了！

“對，就是這款！”韓修確認道。

“哦……淮揚連海的蓋世電子是吧？不好意思……之前忘了通知你了，你們預定的tdl60p已經排上生產了！大概十天後就能交付！”對方口氣迷迷糊糊的，壓根不像是正兒八經的生意人。

Loading...

未載入完，嘗試【重新整理】or【退出閱讀模式】or【關閉廣告遮蔽】。

嘗試更換【Firefox瀏覽器】or【Chrome谷歌瀏覽器】開啟多多收藏！

移動流量偶爾打不開，可以切換電信、聯通、Wifi。

收藏網址：www.mobvista.cc

(＞人＜；)