剛剛一眾學者們交流學術，大家暢所欲言，都快忽略了羅晟。

而這個時候才回過神來，才意識到羅晟不僅僅是精通商業的企業家，還有更大的隱藏屬性，那就是技術大咖。

羅晟顯然沒有說完，他盯著修改後的數學模型繼續道：“還有一點，既然都是拿耗盡層的矽，插入一層氧化層，那麼為什麼非要放上一堆沒用的矽在下面呢？直接在氧化層底下再弄一個柵極，兩邊夾著溝道，豈不是更爽？”

眾人錯愕了一陣，回過神來之後無不拍案叫絕，而羅晟補充道：“這還不夠，既然如此，那還有什麼必要非得把氧化層埋在矽裡面呢？我完全可以把矽弄出來，像三明治一樣包裹上絕緣層，外面再放上柵極，豈不是爽爆了？”

一位半導體研究學者激動萬分的說道：“簡直是天才般的設想，這樣的方案不僅僅大大降低了漏電流，而且因為又多一個柵極，這兩個柵極一般都是連在一起的，因此等於大大地增加了前面說過的那個絕緣層電容，也就是大大地提升了電晶體的開關效能，我敢下決斷，這種三柵極電晶體，絕對是一次是在架構上的革命式的進步，不但是45奈米，在32奈米、22奈米、14奈米都有極大的想象空間，是摩爾定律的再次勝利。”

值得一提的是，半導體業工藝節點的演進是可以被預測的，摩爾定律也應運而生，也就是下一代晶片多少奈米。

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