極紫外光刻技術的另一大瓶頸無疑就是光刻膠了。

目前的行業現狀是，半導體材料的供應都是十分集中的，而光刻膠技術算是全球集中度最高，並且壁壘也是最高的材料，被日本和北美合計佔領了95%的市場份額。

三星電子半導體固然牛氣哄哄，也卻是很有實力，但實際上得看日本人的臉色，如果日本的半導體材料商在材料這塊卡一下，三星半導體就要趴窩。

休息室裡正在進行臨時的技術交流探討，一位負責光刻膠技術的工程師有條不紊的說道：“在248奈米和193奈米的光刻中，主流有超過二十年之久都是使用有機化學放大光刻膠CAR，這是一種用來製作圖案成型的光敏聚合物。”

在極紫外光刻機下，光子專機CAR光刻膠併產生光酸，之後CAR光刻膠在曝光後的過程中進行光酸催化反應，進而產生光刻圖案。

原理就是這麼個原理。

那名工程師繼續道：“把CAR光刻膠用於極紫外光刻技術上，但因為光源能量大幅度增加了，之前的實操結果顯示會出現不同且複雜的結果，進而影響晶片的良品率。”

羅晟點點頭，說道：“到了EUV技術節點，這個不單單是我們的問題，競爭者也一樣會遇到類似問題，還是得開拓新思路，想來當前業界其它的半導體裝置、材料商都會想盡各種方式，或者提出新的光刻膠技術解決方案，讓極紫外光刻技術可以持續使用，從而延續摩爾定律的壽命。”

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