碳化矽作為半導體材料，在全球的各大實驗室已經有了廣泛的研究，其中作為LED照明燈或者其他簡易工業品，更是已經進行了工業化的生產。

同時對比矽晶片碳化矽的優點很多。

例如寬禁帶可以達到高達3.0eV到3.25eV，讓晶片的工作環境溫度提高到800度以上。

這種溫度耐受力，未來什麼扇熱器之類的就不用了，而且可以用在太空探索等條件惡劣的地方。

其次，高的電子擊穿場強帶來了半導體功率器件擊穿電壓的提高，碳化矽功率器件漂移區的寬頻可以降低，因此功率器件可以減少，晶片體積也可以做的更小。

體積更小的晶片是製造可穿戴裝置的關鍵，使用者不想戴個笨重的頭盔或者是幾斤的科技眼鏡裝X。

另外，碳化矽晶片抗輻射能力也強，今後在太空或者強輻射領域工作也不會有任何問題。普通的晶片或者電子類產品，在輻射強的地方基本都會失去工作能力。

但是將碳化矽作為晶片，全球各大實驗室並沒有付諸於實踐，主要原因就是技術問題。

現代工業技術還不足以將糾纏的量子對放入色心，並以此為基礎進行運算，技術難度還是很大。

這也是目前第三代半導體發展的技術瓶頸，包括英特爾在內的半導體晶片企業，就算開始使用碳化矽作為第三代半導體材料，也同樣是做二進位制晶片，而不會是跨時代的量子晶片。

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