用於光蝕碳基晶片的光刻機組裝完成，需要的基礎材料也都有了，接下來要做什麼自然不言而喻。

直播間裡面的絕大部分觀眾對後面的事情都很期待，希冀著碳基晶片的到來。

至於為什麼說是絕大部分而不是全部，那自然是群眾間有壞人啊。

.......

模擬空間內，韓元在高標準的淨潔無塵化學實驗室中處理著製造碳基晶片用的石墨烯單晶晶圓材料。

有了石墨烯單晶晶圓材料並不代表著碳基晶片就十拿九穩了。

超高純度的石墨烯單晶晶圓只是製造碳基晶片的最基礎材料，除此之外,還有碳奈米管、高純度碳化矽晶材這些都是需要附屬上去的。

就像矽基晶片的單晶矽一樣，石墨烯單晶雖然效能優異，但因為本書屬於單晶級材料，也是需要進行摻雜其他離子材料進行製造相應的P、N類半導體。

這一步無論是在矽基晶片上還是碳基晶片上都必不可免。

當然，給石墨烯單晶晶圓進行摻雜的手法和摻雜的離子材料和單晶矽肯定是不同的。

碳和矽，這兩種材料都屬於碳族元素,而且兩者最外層都有四個電子，兩元素有著非常相似價層電子組態，區別在於核心的質子數與外層電子數不同。

碳的核內有6個質子,矽的核內有14個質子。

碳的電子數目是6個，分兩層，裡層2個，外層4個。

而矽的電子數目是14個，分三層，裡層2個，中間層8個，外層4個。

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