電流的強度和阻抗以及電壓的大小有關係。

這是著名的歐姆定律。

但除此之外，很少有人知道的是，電壓的形成與大小，從微觀上來說，還與電子及原子核也就是材料本身攜帶的電子及電位差有關。

而正在太陽底下爆曬發電的‘鑭化鎵矽薄膜太陽能薄膜發電板’，利用的就是微觀層面上的這一資訊。

和普通的矽晶太陽能發電板相比，鑭化鎵矽太陽能薄膜發電板能形成的電壓強度就要大多了。

因為它是由光吸收層上無數的特殊晶狀結構共同聚集電子並透過基板上的P電層後才形成電流的。

眾所周知，電勢差是形成電流的原因，是衡量單位電荷在靜電場中由於電勢不同所產生的能量差的物理量。

當電勢差越大的時候，在相同阻抗的情況下，形成的電流強度也就越高。

而光吸收層上無數特殊的晶狀結構能在進行光電轉換的時候能先吸收儲存一部分電子，從而和基板形成足夠高的電勢差。

這同樣是鑭化鎵矽薄膜光電轉換率能達到百分之七十的原因之一。

正是因為有足夠高的電勢差，從鑭化鎵矽薄膜中流出來的電流才足夠強。

如果說，一塊同樣大小的普通矽晶太陽能發電板能形成10V大小的電壓，那麼鑭化鎵矽薄膜能形成的電壓強度能達到50V。

當然，這也和外界的光照條件有關係。

比如現在，雖然已經到了下午四點，陽光沒有正午強，但熱帶雨林中，下午四點的陽光還是非常強烈的。

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