在透過彈幕瞭解到國內的廠商直接和島國槓起來後，韓元並沒有多說什麼，而是轉身繼續完成製備單晶矽。

不過卻有細心的觀眾和各國的專家們發現這名主播的講解，似乎詳細了不少。

“‘化學氣相沉積-矽核心外延法’製備單晶矽最主要的方式一般是兩種。”

“第一種是‘四氯化矽氫還原法’。”

“之前看過我製備碳化矽晶材的朋友應該就知道，‘四氯化矽氫還原法’是製取高純度多晶矽的一種方法。”

“但事實上它同樣是可以用來製備單晶矽的。”

“不過我今天使用的並非這個，而是第二種‘矽烷熱分解法’。”

“相對於‘四氯化矽氫還原法’來說，‘矽烷熱分解法’更加簡單，製備流程走的步驟也更少一些。”

“不過有一點要注意。”

“那就是溫度。”

“溫度對矽烷外延生長速度影響不大，但對外延層質量影響很大。”

“例如，當溫度高於1100℃時，外延層的自摻雜效應較為嚴重，反之，若溫度過低，外延層的晶體完整性差、缺陷多。”

“實踐證明:當用氫氣作攜帶氣體時，1050℃左右為最佳生長溫度；影響矽烷外延生長速度的最主要因素是矽烷在氫氣中的濃度，一般隨著氫氣中矽烷的增加，生長速度也按比例增加的......”

“另外要注意的是，雖然矽烷熱分解外延具有生長溫度較低，反應機構簡單，無鹵化物、無自滲雜等優點。”

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